性能特点

•       CLIP铜片互联技术: 采用厚重铜片取代铝线，降低阻抗并形成顶部散热通道。

•       双面散热(Dual-Side Cooling): 热量从顶部和底部同时传导，实现“双面夹击”散热。

•       极低的热阻: 结壳热阻(RθJC)相比传统封装降低约20%，可低至0.85°C/W。

•       高可靠性: 功率循环寿命超过50万次，远超传统封装。

核心优势

•       极致散热能力: 热流路径截面积翻倍，结温显著降低，或承载更大电流。

•       卓越的高温性能: 高温下性能衰减远小于传统封装。

•       超高功率密度: 在紧凑的DFN5x6封装内实现极高电流密度。

•       系统成本效益: 可减少散热器尺寸或并联MOSFET数量，优化系统成本。

主要应用领域

•       AI服务器电源: GPU供电模块等极端电流密度环境。

•       电动汽车: 电池管理系统(BMS)主回路、电驱逆变器。

•       高端消费电子: 超薄笔记本电脑、高性能游戏本电源。

•       无人机: 电调和电源系统。